2016年2月9日，在国际高水平期刊《美国化学会—应用材料与界面》（ACS Applied Materials & Interfaces，2015年SCI期刊影响因子6.723，中科院分区工程技术大类一区top期刊）上刊登了我校数学与信息科学学院许磊副教授为第一作者的关于金属氧化物薄膜晶体管的最新研究工作，论文题为《Rational Hydrogenation for Enhanced Mobility and High Reliability on ZnO-based Thin Film Transistors: From Simulation to Experiment》（高迁移率和高可靠性的合理氢钝化氧化锌基薄膜晶体管：从模拟计算到实验，DOI:10.1021/acsami.5b10220）。

该工作基于理论模拟计算揭示了少量的镁和氢共掺杂的氧化锌基薄膜降低了间隙氢的形成能，增加了氧空位的形成能；实验结果表明少量镁存在的氢钝化氧化锌薄膜晶体管的迁移率可从10提升至32.2cm²/Vs。理论和实验结果都证实了镁和氢共掺杂可以显著的钝化氧空位缺陷提高器件的可靠性和迁移率。该工作意义在于为氢钝化这一广泛用于硅基半导体行业的技术手段推广应用到氧化物半导体材料中指明了方向。

该工作得到国家自然科学基金（No.11574083）的支持。据悉，许磊博士在2015年获批国家自然科学基金面上项目（直接经费72万），获得河南省高等学校青年骨干教师资助计划和学校高层次人才科研启动项目支持，近年来围绕社会需求旺盛的显示领域薄膜电子器件应用进行研究，开展了一系列有特色、系统性和创新性的工作，已在《Applied Physics Letters》、《IEEE Electron Device Letters》等国际著名学术期刊上发表高水平SCI论文10余篇。

科技处

2016-3-3